Особенности работы современных SSD-дисков. Инструкция по восстановлению данных с SSD диска

Твердотельные накопители Solid State Drive (SSD) в современном мире технологий набирают все больше признания пользователей. Это неудивительно т.к. SSD имеют ряд неоспоримых преимуществ перед сдающими позиции обычными жесткими дисками HDD. Основными достоинствами новых носителей, является высокая скорость доступа: чтение и запись, Отсутствие движущихся частей, низкое потребление энергии, полное отсутствие шума при работе, компактные габариты.

Однако, даже такие, совершенные устройства, как показывает практика, могут выходить из строя. Восстановление данных с SSD в нашем центре освоены и успешно применяются уже несколько лет, поэтому мы всегда готовы помочь нашим клиентам в этом вопросе.

Прайс на восстановление информации с SSD носителей в серсиве “Data-911”

Рядовой владелец-пользователь вначале может подумать, что восстановление SSD дисковпохоже по своим подходам на технологию реанимации флэш накопителей. В самом деле эти твердотельные диски схожи с «флэшками», но сам принцип работы у них различается, SSD по своему строению и функционированию более сложны, а это существенно влият на длительность и этапы процесса подъема информации.

Более высокая сложность компоновки схемы строяния SSD может приводить к специфическим, для этого типа накопителей сбоям, ведущим к потере даннях:

  • микроблоки памяти в твердотельных дисках обладают ограниченным ресурсом циклов чтения/записи, это следует учитывать для избежания потери информации
  • высокая зависимость от стабильной работы электросети: даже незаметные скачки напряжения могут вывести из строя контроллер SSD диска
  • механические повреждения: хоть SSD диски более устойчивы к падениям и другим физическим воздействиям, никто не может гарантировать, что это не приведет к потере данных
  • высока вероятность логических сбоев в микросхемах памяти SSD, которая приводит к «рассасыванию» данням по всем блокам памяти. Этов разы увеличивает сложность восстановления

Что нужно знать о процессе восстановления данных с SSD дисков?

Построение процесса восстановления информации с твердотельных SSD дисков требует высококлафицированного подхода и поэтапного исполнения:



Роман является автором статей в журнале «Железо», периодически публикуется на Overclockers.ru, а также работает инженером по системам восстановления информации в отечественной компании, чью продукцию использует, в том числе крупнейшие западные фирмы. Давайте узнаем, как обстоит дело с восстановлением данных с SSD.

Роман, как я понял, ваша компания занимается непосредственным выпуском программно-аппаратных комплексов, помогающих диагностировать и восстанавливать информацию с жестких дисков или Flash систем хранения, таких как карты памяти, «флешки» и SSD?

Да, Антон, все верно. Компания называется ACE Laboratory и в этом году она отметила 20- летний юбилей, что для российской компании является очень солидным сроком. Много-ли IT компаний начала 90-х, продолжают активно развиваться спустя 20 лет с момента своего открытия? Я о таких, слышу не очень часто:)

Изначально, ACE Lab была основана выходцами Таганрогского Радио Технического Института и выходцами из Ростовского НИИ ТОП. В конце 80-х, в этом научно-исследовательском институте, велась разработка советских жестких дисков. По большей части, это были клоны Seagate’ов объемом 5-20 Мбайт (самые вместительные зарубежные модели того времени, едва переваливали за 60 Мбайт), но тем не менее, все собиралось из отечественной элементной базы, использовались советская электроника и работали советские инженеры. Сейчас сложно представить, что когда-то, в нашей стране, выпускались полностью отечественные компоненты не только для военных нужд, но и для домашнего использования, в частности, для персональных компьютеров. С началом 90-х, когда вместе с развалом СССР начался развал государственных предприятий, НИИ ТОП не долго смог продержаться и вскоре был закрыт. Талантливые инженеры, знающие о принципах работы HDD, нашли свое место в новых условиях рынка – если производить что-то уже не было никакого смысла, то восстановление данных – оказалось весьма перспективным направлением деятельности. Ведь в начале 90-х, жесткие диски только-только набирали обороты, и были примерно такой же, редкостью, как сегодня SSD. По этому, ведя разработки своего оборудования, параллельно развитию HDD, компания накопила огромный опыт за это время, и сегодня, без преувеличения, является лидером по производству оборудования для восстановления информации во всем мире. Просто говорят о нас не очень часто – слишком уж узкоспециализированное это дело, “Data Recovery” :)

Озабочена ли ваша компания развитием данного перспективного направления (твердотельная память), или сосредотачивает свои силы больше на традиционных жестких дисках?

В процентном соотношении, HDD и SSD идут примерно 90% к 10%, так что упор на жесткие диски ставится сейчас, конечно же, больше чем на твердотельные накопители. С другой стороны, постепенная каннибализация предприятий, выпускающих HDD идет на пользу и SSD – появляется возможность лучше сконцентрировать ресурсы для разработок. К примеру, еще лет 10 назад, жесткие диски выпускались целой когортой компаний. Это были Fujitsu, IBM, Hitachi (а в последствии, Hitachi-IBM), Samsung, Toshiba, Seagate, Western Digital, Quantum, Maxtor и т.д. Приходилось уделять всем накопителям времени в равной степени, и поскольку каждый из производителей имел уникальную архитектуру дисков (а как следствие, и принципы восстановления данных с них), то заниматься равномерным развитием сразу всех направлений было непросто. Со временем, на рынке осталось лишь два основных конкурента, которые поглотили всех остальных – Seagate и Western Digital ну, и пожалуй, Hitachi который хотя и был куплен Seagate’ом, сейчас все еще штампует очень малым тиражом дешевые 2.5” диски для ноутбуокв. Так что сосредоточившись на двух-трех производителях, появляется возможность больше времени уделять и SSD – впрочем, все случившееся сложилось крайне своевременно.

По ходу работы ты часто общаешься с западными клиентами, а многие ли у нас сейчас пользуются услугами восстановления данных с SSD или Flash?

Дело в том, что восстановление информации – дело дорогое. Это весьма кропотливый процесс, который по определению не может оплачиваться дешево. И если с жесткими дисками, дела идут неплохо (люди часто обращаются за восстановлением своей инфы), то с Flash накопителями все гораздо сложнее. К примеру, SD карта фотографа который вел свадьбу, внезапно его подвела, и все праздничные фото пропали вместе с работоспособностью карты. В этом случае, конечно же, и фотограф, и жених с невестой, заинтересованы в восстановлении утерянных данных и готовы заплатить немалые деньги. Но если у студента навернулась флешка с рефератом, вряд-ли он будет платить две-три тысячи рублей за восстановление своей информации. За рубежом, даже 100-200$ не являются большими деньгами если на кону стоят фотографий с путешествий, или более-менее значимые документы. А вот у нас, народ менее богатый, по этому и восстанавливать данные не спешит. Часто бывают случаи, когда люди не хотят жертвовать 8-гиговой флешкой стоимостью в 500 рублей (которую нужно вскрыть и отпаять чип памяти для дальнейшего восстановления), боясь лишиться гарантии и в дальнейшем, потерять возможность обменять в магазине на новую, бесплатно. Это не говорит о жадности, это говорит о совершенно другом уровне доходов по сравнению с богатым Западом. Тоже самое и с SSD – восстановление данных с них стоит еще дороже, и пока, на Российском рынке никто тратить большие деньги за восстановление твердотельного диска не хочет. К тому же, те кто покупает SSD осведомлены о их недолговечности, по этому и важные данные на них не хранят, используя исключительно для программ и операционной системы. На Западе, люди менее технически подкованы, по этому купив ноутбук с SSD, они тут же скидывают на него важные документации, фотографии, видео, да и вообще все что только можно, и сильно удивляются когда SSD внезапно умирает. Так что на Западе, клиентов обращающихся за восстановлением данных с SSD уже достаточно много – в разы больше чем в России.

Среди пользователей всегда ходило поверье, что если сломался жестких диск, то с него без проблем можно «слить информацию», а вот из-за особенностей твердотельных накопителей этого сделать вообще невозможно, так ли это?

Твердотельные накопители, относительно новы – им всего-лишь несколько лет (именно столько времени они активно развиваются, до 2008 года о них вообще почти никто не знал), по этому и времени на их “раскопку” было затрачено гораздо меньше. С HDD есть огромный опыт, восстанавливать данные с них легче ввиду совершенства и технологии, и программного обеспечения. С флешками и SSD все по-другому, принцип работы, размещения и хранения данных сильно отличается от HDD, по этому «переключить мозги» с жестких дисков на флешки было довольно непросто.

Поначалу, SSD первых поколений не отличались от обычных флешек по принципу записи и чтения информации, просто действий было немного больше, и общее восстановление проходило медленнее, требуя куда больше времени. К примеру, в SSD, все данные разбиваются на куски размером 4 Кбайт, и записываются в разные микросхемы на плате SSD. По этому и доступ к этим данным очень высок. Т.е. контроллер, один и тот же файл начинает считывать сразу по 4-м каналам, с 4-х микросхем, считывая 1-ю часть с 1-й микросхемы, 2-ю со второй и т.д., делая это одновременно (что-то типа RAID0 у HDD). Благодаря такому распараллеливанию, и достигается высокая скорость наряду с более «плавным» износом NAND FlASH, поскольку запись и считывание велось постоянно в разные участки чипов памяти.. Но считав данные с микросхем, инженер получал мусор из кусков файлов – необходимо было восстановить преобразования контроллера, повторив их в обратном порядке. Представь себе лоскутное одеяло, разрезанное на полоски шириной 5-см, которые потом перемешали в общей коробке. Задача – все куски выстроить в правильном порядке, и заново сшить одеяло – примерно с такой же задачей сталкивался специалист. Необходимо было отпаять все микросхемы, считать их, проанализировать

каждую из них, и начать связывать их между собой по кускам, что бы получить данные пользователя. Это требовало огромного количества времени и естественно, назад свой дорогой SSD пользователь уже не получал и вернуть в магазин по гарантии не мог – либо данные, либо гарантия, т.к. все микросхемы предварительно выпаивались и считывались. Тем не менее, вернуть данные было можно, хотя и очень-очень непросто. Однако, уже во втором поколении SSD, разработчики твердотельных накопителей довели свои алгоритмы записи информации не просто до разрезания и перемешивания (для более равномерного использования ячеек микросхем), они решили включить шифрование. Т.е. контроллер, перед записью данных предварительно их шифровал, получался так называемый “равномерный белый шум”, который заполнял пространство микросхем. Тут то и возникла проблема – вычитать данные было возможно, а вот «склеить» их без расшифровки оказалось просто нереально. Но, как оказалось, SSD 2-го и 3-го поколения уже умели работать в технологическом режиме, который можно было активировать если слетала прошивка или происходил сбой микропрограммы контроллера SSD. Активировав этот режим, стало возможным добиться доступа к данным без предварительной отпайки чипов, сделав процесс восстановления более быстрым и менее сложным.

Если технологический режим реализован на SSD, то почему о нем мало кто говорит из производителей, когда он может помочь восстановить испорченный накопитель?

Все просто – никто из производителей не хочет что бы SSD диски ремонтировались сторонними компаниями, а данные восстанавливались. Они хотят одного – больших продаж. Ломается диск – ты покупаешь новый, а не идешь его ремонтировать, как к примеру, HDD. Однако поскольку производители расширяют гарантию на свою продукцию твердотельных накопителей, и хотят что бы пользователи больше им доверяли, приходится идти на хитрости, так что добавили они техно режим не для того что бы помочь восстановить данные, а для того, что бы самим их починить. Допустим – поломался у тебя SSD через два года после покупки, а гарантия на SSD – пять лет. Ты несешь его в сервисный центр где у тебя его забирают, а в замен дают точно такой же. При этом, твой старый SSD отправляется на завод, где его вводят в техно режим, делают перепрошивку микропрограммы, тестируют, меняют корпус и отправляют в СЦ обратно, что бы кто-то другой забрал его, вместо точно такого же, сломавшегося. Ведь как показывает практика, в современных SSD, изнашиваются не чипы памяти – все проблемы связанны в 95% с контроллером и прошивкой\микропрограммой, которая попросту может слететь, или повредиться во время использования. Но, хочу заметить, что это – исключительно догадка, хотя надо сказать, выглядит она очень правдоподобно:)

Во время разработки, как аппаратных, так и программных комплексов для восстановления информации ваши сотрудники должны разбираться с контроллерами, микросхемами и прочим. Это намного проще сделать, сотрудничая с самими разработчиками, например, производителями накопителей или контроллеров, идут ли они на контакты?

99% всех производителей контроллеров, включая известные Marwell, Indilinx, SiliconMotion, Alcor Micro, Phison, Sandforce, находятся в Китае. Именно там они разрабатываются, выпускаются и т.д. Наладить контакт очень непросто, да и это не совсем уж выгодно самим производителям контроллеров которые, как я уже говорил, хотят как можно больше продать. По этому, разработчикам, методом проб и ошибок приходится самим до всего додумываться. :)

Сейчас многие негативно относятся к переходу NAND памяти на новые техпроцессы производства, в связи с сокращением числа циклов перезаписи ячеек. Как ты считаешь, есть ли реальная опасность в том, что память просто перестанет работать со временем в персональных компьютерах, ноутбуках и так далее в какие-то разумные сроки?

Вероятность того, что SSD выйдет из строя – 100% :) Другой вопрос в том, сколько времени на это потребуется? Если к примеру, гарантия производителя 5 лет, могу с очень высокой вероятностью сказать что сам SSD морально устареет куда быстрее, чем успеет закончится гарантия на него, или он поломается. За 5 лет любое компьютерное железо серьезно устаревает, так что самые «ходовые» 2-3 года, любой SSD вполне сможет проработать. Что касается техпроцессов и уменьшения размером ячеек памяти, то здесь вступают в работу программисты, которые доводят алгоритмы записи и «выравнивания» до совершенства (как я уже и говорил выше). Кроме того, добавляется солидный кусок пространства для «переназначенных секторов», так что битые ячейки будут моментально переписываться в резервную область, обеспечив тот самый запас по прочности.

Допустим, первые поколения SSD 2007-2008 года, имели 30000-50000 цикл перезаписи каждой ячейки памяти, после чего она становилась непригодной для записи. При этом, из-за «линейной» записи, когда пользователь постоянно переписывал первые 1-5 Гбайт (кэширование браузера и ОС могут делать тысячи записей ежедневно в одно и то же место), изнашивались только они, а остальные 50 Гбайт, оставались невостребованными, и диск мог очень быстро «умереть». В современных SSD жизненный запас одной ячейки куда меньше – примерно 3000-5000 циклов, однако из-за используемых алгоритмов «выравнивания» записи, шифрования, накладывания XOR паттернов, перезапись каждой ячейки максимально эффективна. Разработчики любят хвастаться тем, что на коробках с SSD указывают, мол, «наш накопитель проживет 10 лет, даже если каждый день вы будите записывать на него 20 Гбайт данных!». Вот именно это они и имеют ввиду – одни и те же ячейки, благодаря оптимизированным алгоритмам записи не будут использоваться постоянно, так что для «убийства» современной микросхемы объемом 16 Гбайт, нужно записать на нее в 3000 раз больше ее реального объема, т.е. примерно 48 Тбайт… Не думаю, что в повседневной жизни, даже за пару лет получится записать хотя бы 100-200Гбайт, не говоря уже о терабайтах. Т.е. даже если с освоением 14нм техпроцесса, запас прочности одной ячейки упадет до 300-500 циклов перезаписи, на 512 Гбайтный SSD придется записать минимум две сотни Тбайт для заметных повреждений NAND чипа.

Слабое место SSD - не память, а именно контроллер и прошивка, которая очень уж любит слетать, блокируя всякий доступ к данным.

Аналитики SSD светлое будущее, все больше компаний начинают выпускать твердотельные накопители (например, недавно о таком желании «изъявили» Seagate и MSI). Раньше тоже были предположения, что со временем NAND Flash память или ее аналоги смогут заменить собой жесткие диски, это было еще до официального выхода массовых линеек SSD, в качестве сроков тогда назывались десятки лет. Сейчас уже говорят о перевесе в сторону SSD за какие-то ближайшие 3-5 лет, как ты считаешь, будет ли он и что надо накопителям для того чтобы обогнать в производстве жесткие диски?

Отрицать то, что будущее за SSD – глупо. Но и делать какие-то предсказания о «существенном перевесе в ближайшие два-три года” тоже ошибочно То, что все большее число производителей, будет выпускать SSD накопители – это вполне очевидно, ведь запустить в производство твердотельный накопитель в сотни раз проще, чем выпустить работающий HDD. Что нужно для того что бы SSD работал? Закупить пригоршню микросхем и к ним контроллер, с официальной заводской прошивкой, которую по желанию можно дописать или дополнить. Т.е. любая более-менее весомая конторка, которая занимается выпуском компьютерного железа (клепает видеокарты и материнки), вполне может выпускать и SSD без особых головных болей – ничего нового для них не будет. Совсем другое – выпустить конкурентоспособный контроллер, так что тут, скорее,

вопрос в том, сколько компаний будут продолжать или начнут выпуск SSD контроллеров, а не самих SSD дисков. Пока, из весомых, их всего пять – Sandisk, Sandforce, Samsung, Indilinx, Marwell, но вполне возможно, что будут появляться и новые игроки, которые представят свое видение «идеального контроллера для SSD». Начать разработку контроллера для твердотельного накопителя, гораздо проще чем начать выпуск собственных HDD, так что перевес рано или поздно все равно будет в сторону твердотельных накопителей. Игроков на рынке NAND FLASH будет становиться все больше, а вот количество производителей HDD с вероятностью в 99.9% останется тем же – Seagate и WD, третьего уже не будет.

Но пока, коренных изменений на рынке ПК я не вижу, за HDD все еще главные плюсы – большая надежность (вероятность внезапной смерти меньше чем у SSD), невысокая цена, огромные объемы. Да, в мобильном секторе, FLASH давно вытеснил HDD форм-фактора 1.8”, полностью заняв весь рынок, но вот что касается ПК, то глобальных улучшений по сравнению с 2008 годом, я пока не вижу. Твердотельные накопители все еще дороги, а максимальный объем ограничен 256-512 Гбайтами (это уже последняя грань с вменяемой стоимостью, далее идут просто ошеломительные цены), так что даже удешевление памяти не дает существенной доступности. Казалось бы, победитель очевиден – HDD продолжают доминирование в секторе ПК (мы о нем и говорим, он для нас главный, мобильный в расчет не берем), но на деле конкуренции как таковой нет. Между SSD и HDD, буквально сейчас завязывается дружба, поскольку вместе, друг от друга, они будут брать гораздо больше плюсов, чем по одиночке. В ближайшем будущем нас, скорее всего, ждет следующее развитие ситуации: у среднестатистического пользователя в ПК будет установлено два накопителя – один SSD, небольшого объема и по доступной цене (128-160 Гбайт за ~80-100$) для программ, игр и операционной системы, и вместительный HDD объемом в 2-4 Тбайт, для хранения FullHD фильмов, музыки, документов, образов игр и т.д.

Но, опять же – это все только в том случае, если цены на доступ в интернет не полетят вниз, и люди не станут массово пользоваться сервисами для онлайн просмотра HD Video, музыки и т.д. В этом случае, смысла в HDD не будет никакого – для игр и установленных программ, хватит и 256 Гбайтного SSD, а все остальное можно будет хранить на “облачных серверах”, которые набирают популярность. Вот только дело это не ближайшего будущего, скорее всего такая картина будет к 2018-2020 году, а пока – SSD и HDD будут жить в тесном сотрудничестве друг с другом.

Но, это лишь мое видение ситуации, слишком уж много условий для какого-то однозначного вывода:)

Благодарю за ответы на вопросы и желаю дальнейших успехов в вашем нелегком деле:)


There are many advantages that SSDs have over traditional mechanical hard disk drives (HDD). The main list includes the speed of reading and writing information, resistance to mechanical damage and low power consumption. The main disadvantages include high price and a short time to failure.

An SSD consists of a control unit and a memory unit (a FLASH chip and a DRAM chip). The SSD drive can be widely used as a portable hard drive, micro hard drive, memory card, U-disk etc.

Since the SSD drive has a limited number of write cycles, there is a risk of data loss. Based on that, we want to tell you how to recover data from an SSD drive by yourself.

First, let’s look at the main reasons for data loss from an SSD:

  • damage to electrical and physical components;
  • wear;
  • file corruption caused by software problems or an operating system malfunction;
  • virus attacks.

Chances to recover data on SSD

The process of deleting files from an SSD is fundamentally different from the process of deleting files from a conventional hard drive.

If the file is deleted from a regular hard disk, then this is only an index that you delete. That is, the real data still remains there until this space is overwritten by new files. In an SSD, contents will be deleted immediately by the TRIM command.

What is TRIM, then? When you write new data to a mechanical hard disk, Windows will allow the disks to erase previous data first. Then the new data will be placed in the appropriate place. When you simply perform the delete operation, Windows will mark the corresponding space as available for writing, but will not delete the contents of the actual file.

However, when Windows recognizes an SSD and confirms that TRIM is supported, it will immediately delete the file instead of creating a special tag.

Fortunately, SSD data recovery is possible under the following conditions:

  • It is possible to restore files if you connect the SSD to your computer as an external hard drive via a USB port;
  • Data is restored when using an SSD in a RAID array, since TRIM is not supported in this disk array;
  • TRIM support has been introduced since Windows Vista. Therefore, for Windows Vista and earlier versions the TRIM command is not supported, and it means that data recovery is possible;
  • If the file system crashes, the disk is not readable or not available at all, your deleted files can be restored, because the TRIM team was not applied;
  • If your SSD is old enough, it may not support TRIM. Therefore, the deleted data can be recovered.

If your situation matches one of these conditions, you can recover the lost data using data recovery software.

Magic Partition Recovery

If your disk contains deleted partitions or bad sectors, Magic Partition Recovery can restore any information from there. This program restores all types of files from all types of media. The Quick Scan mode displays a list of deleted files in a matter of seconds, while deep analysis mode finds files by their contents, without relying on the file table. Magic Partition Recovery fixes errors in the system disk structure and recovers heavily damaged, deleted and overwritten file systems.

Magic Uneraser

The product recovers all deleted files and folders almost instantly. As this program supports recovery of all file types, including MS Office documents, digital photos, MP3 and ZIP archives, it will quickly and reliably resurrect all your data. If you have cleared the Recycle Bin or deleted an important document without sending it to the Bin, formatted the memory card or lost your files on a hard disk no longer available, Magic Uneraser will help you in any situation. Magic Uneraser supports all types of media, including hard drives, SSD drives, USB flash drives and memory cards.

Представьте ситуацию: удалились данные с SSD, или твердотельный накопитель вышел из строя. Возможно ли восстановить информацию? Рассмотрим, какими программами происходит восстановление данных с SSD диска, и когда это возможно.

Немного теории

На традиционном HDD удаляется только индекс. ОС помечает запись файла в файловой системе, чтобы объявить эти блоки доступными. В них записывается другая информация, но старые данные остаются доступными. Поэтому они . Реальное содержимое остается пока в этот сектор не запишутся новые данные.

Что происходит при удалении

Данные пишутся в пустые ячейки NAND памяти. При удалении ОС обращается к контроллеру SSD, передавая команду TRIM (удалить). Что это за команда?
TRIM - технология интерфейса ATA (используется для подключения накопителей). Сообщает ОС какие ячейки с информацией могут быть очищены диском. Он мгновенно удаляет содержимое блоков без уведомления пользователя. Такой механизм делает невозможным .
Если SSD встроен в ПК через SATA и на нем находится ОС, или используется как дополнительное файловое хранилище - восстановить утерянную информацию не получится. Причина - команда TRIM. При удалении контроллер получает команду на физическое удаление информации в блоке в этот же момент.
Рассмотрим случаи, когда возможно восстановление данных с SSD дисков.

Когда восстановление возможно

  1. Не выполнилась команда TRIM: сбой файловой системы;
  2. TRIM не поддерживается старыми ОС, ниже Windows 7;
  3. Диск используется как внешний накопитель;
  4. Команда TRIM не поддерживается устройством;
  5. Диск отформатирован в FAT;
  6. При сбое в таблице разделов диска. Потеряется доступ к информации, но команда TRIM не запустится.

Как узнать, что диск сломался

Если устройство не работает, происходит следующее:

  1. Постоянное постукивание или жужжание;
  2. Софт не инсталлируется, игры не запускаются. Связано с появлением Bad-секторов
  3. Появляется ошибка «Файловая система повреждена».

Как восстановить

Установите программу Renee Undeleter . Нажмите два раза ЛКМ по инсталляционному «exe» файлу для начала установки. Она простая не вызовет сложностей даже у начинающий пользователей. Программа предлагает использовать четыре варианта восстановления:

Следующим шагом выберите устройство.
Если известно какие файлы нужно восстановить, выберите настройки пользователя. Это уменьшит время сканирования. Иначе выберите по умолчанию.
После сканирования отобразятся удаленные файлы.
Восстановите нужные данные.

Hetman Recovery

Скачайте утилиту с официального сайта . Благодаря встроенному Мастеру, работа не вызовет сложностей даже у неподготовленных пользователей. Он покажет последовательность действий.
После открытия программы, отобразится список всех HDD. Даже тех, которые не определяются системой. Отобразятся как не размеченные области.
Запускаем Мастер. Нажав на кнопку «Wizard».
Выбираем нужный диск.
Определяемся как программа будет анализировать данные. Предлагается два варианта: быстрый или полный. Для SSD используете второй вариант «Full».
Запустите сканирование. После его завершения восстановите файлы, кликнув на «Recovery».

Восстановление данных с жесткого диска SSD программой DMDE

Скачайте приложение с официального сайта . Бесплатная версия имеет ограничение. Восстанавливает файлы по одному. Запустите программу, выберите носитель, с которого нужно восстановить информацию.
Утилита проанализирует структуру SSD, отобразит информацию о разделах. Выберите нужный, далее «Открыть».
В левой части программы выберете «Найденное», справа в параметрах установите «Чистая», далее поставьте значение «Включить удаленные».
Найденные файлы программа отметит крестиком. Выберите те, которые нужно восстановить, укажите директорию, куда программа сохранит восстановленную информацию.

Расширенный поиск

После выбора нажмите кнопку «Полное сканирование».
Далее:

При повелении ошибок чтения MFT нажимайте кнопку «ОК». Будет произведен дальнейший анализ.

AdvancedDiskRecovery

Скачайте утилиту по адресу: https://www.systweak.com/advanced-disk-recovery/ . Запустите инсталляционный «exe» файл для установки.
Откроется окно программы где:
Перейдя в раздел «Настройки» выберите тип сканирования:

  1. Быстрое. Поиск удаленной информации на основе таблицы файлов;
  2. Полное. Определение удаленных файлов по сигнатуре.

Вывод

Мы рассмотрели, как восстановить данные с SSD диска. Воспользуйтесь для этого приложениями, описанными выше. Начинающим рекомендую использовать Hetman Partition. Благодаря встроенному мастеру процесс восстановления не вызовет трудностей.

Рынок SSD-дисков постепенно становится всё более разнообразным. Растет емкость SSD-дисков, и одновременно с этим падает цена в расчете на гигабайт памяти. Однако говорить о том, что SSD-диски стали популярными, еще преждевременно. Главная причина этого - их невысокая (в сравнении с традиционными HDD-дисками) емкость и очень высокая (опять-таки в сравнении с традиционными HDD-дисками) стоимость в расчете на гигабайт памяти. А потому наличие SSD-диска в домашнем настольном ПК - это скорее исключение из правила. Более того, даже в нетбуках и ноутбуках SSD-диски встречаются пока крайне редко. В то же время уже сейчас очевидно, что будущее систем хранения данных именно за SSD-дисками, которые в дальнейшем вытеснят с рынка HDD-диски. Когда это произойдет? Да, собственно, как только они станут сопоставимы по емкости и стоимости с HDD-дисками. Тогда последние просто исчезнут как класс, поскольку SSD-диски имеют ряд неоспоримых преимуществ перед HDD-дисками.
В этой статье мы рассмотрим некоторые особенности функционирования современных SSD-дисков, которые иногда вызывают массу вопросов и недоумение, поговорим об особенностях их архитектуры, а также о возможных вариантах использования этих дисков в ноутбуках, ПК и серверах.

Актуальность перехода на SSD-диски

Производительность современных центральных процессоров, определяющих вычислительные возможности ПК, существенно превосходит производительность традиционных жестких дисков (HDD). В результате именно подсистемы хранения данных во многих случаях становятся узким местом, сдерживающим рост производительности компьютеров в целом. Использование дорогостоящих решений на основе RAID-массивов лишь отчасти позволяет решить проблему дисбаланса в производительности процессоров и подсистем хранения данных на основе HDD. И в дальнейшем дисбаланс производительности процессоров и HDD-дисков будет только увеличиваться, и мы неизбежно придем к тому, что производительность компьютера во многих приложениях уже перестанет определяться производительностью процессора, а будет упираться в самое слабое звено - подсистему хранения данных. Так, с 1996 года усредненная производительность процессоров выросла в 175 раз, в то время как производительность HDD-дисков (имеется в виду выборочное чтение блоков размером 20 Кбайт) - всего в 1,3 раза.

Сегодня единственным способом решения этой проблемы является переход от HDD к твердотельным дискам SSD (Solid State Drive) на основе флэш­памяти. Такие диски способны обеспечить уровень производительности, который в полной мере отвечает производительности современных многоядерных процессоров.

Впрочем, высокая производительность - это не единственное преимущество SSD-дисков. Они также абсолютно бесшумны, поскольку не содержат движущихся частей, и, что особенно важно для ноутбуков, потребляют гораздо меньше электроэнергии по сравнению с HDD-дисками. Так, энергопотребление обычного 2,5-дюймового HDD-диска в режиме активности составляет порядка 2,5-3 Вт и порядка 0,85-1 Вт в режиме простоя (Idle). Если HDD-диск не активен, то через некоторое время (в зависимости от настроек) он переходит в режим пониженного энергопотребления (Standby или Sleep) и при выходе из этого режима ему требуется порядка 1-2 с для раскрутки. Типичное энергопотребление SSD-диска (не серверного) в режиме активности составляет порядка 0,15 Вт, а в режиме простоя - 0,06 Вт. Причем при правильной настройке переход из режима активности в режим пониженного энергопотреб­ления происходит автоматически, если диск не активен в течение 25 мс. А включаются эти диски практически мгновенно, поскольку им просто нечего раскручивать. Отметим, что для автоматического перехода SSD-диска в режим пониженного энергосбережения необходимо активировать функцию Device Initiated Power Management (DIPM) в реестре, поскольку по умолчанию задана функция Host Initiated Power Management (HIPM), когда переходом в режим пониженного энергопотребления управляет не сам диск, а операционная система.

Не уступают SSD-диски традиционным HDD-дискам и по такой характеристике, как среднее время наработки на отказ (MTFB). Так, если для HDD среднее время наработки на отказ составляет порядка 300 тыс. ч, то для SSD-дисков - свыше миллиона часов.

Казалось бы, если преимущества SSD-дисков настолько очевидны, почему они до сих пор не получили широкого распространения? Увы, но у SSD-дисков есть и серьезные недостатки. Прежде всего современные SSD-диски не сопоставимы с HDD-дисками по емкости. Так, если емкость HDD-дисков (размером 3,5 дюйма) достигает 3 Тбайт, то максимальная емкость SSD-дисков (размером 2,5 дюйма) составляет только 512 Гбайт. Правда, если сравнивать 2,5-дюймовые SSD- и HDD-диски, то их емкость вполне сопоставима.

Второй недостаток SSD-дисков - это их стоимость, которая в несколько раз выше, чем у HDD.

Впрочем, что касается емкости SSD-дисков, то не всё так плохо, как может показаться. Емкость SSD-дисков растет гораздо более высокими темпами, чем емкость HDD-дисков, и недалек тот день, когда SSD-диски превзойдут по емкости HDD. В качестве доказательства приведем интересную статистику. В 2006 году компания Intel, один из ведущих игроков на рынке SSD-дисков, производила микросхемы флэш­памяти типа NAND для SSD-дисков по 90-нм техпроцессу, при этом их емкость составляла 1 или 2 Гбит. В 2009 году Intel выпускала микросхемы флэш­памяти уже по 34-нм техпроцессу, а емкость микросхем стала составлять 32 Гбит. В 2010 году компания освоила 25-нм процесс производства микросхем флэш­памяти емкостью 64 Гбит. Как видим, темпы роста емкости микросхем флэш­памяти для SSD-дисков впечатляют: фактически ежегодно происходит ее удвоение. Так что в скором времени SSD-диски будут превосходить по объему HDD.

Нужно также отметить, что хотя до широкого распространения SSD-дисков еще далеко, но говорить о том, что SSD-диски вообще не покупают, неверно. Статистика такова: в 2008 году в мире было продано всего 700 тыс. SSD-дисков, в 2009 году объем продаж составил уже 2 млн штук, а в этом году, согласно прогнозам, он достигнет 5,9 млн штук. Предполагается, что к 2013 году рынок SSD-дисков составит 61,8 млн штук.

Итак, прогнозы по объемам продаж SSD-дисков весьма оптимистичны, однако они отнюдь не отвечают на главный вопрос: что делать пользователям сегодня, когда емкость SSD-дисков еще недостаточно высока, а их стоимость всё еще очень высока? Если речь идет о домашних пользователях, то, конечно же, не имеет смысла выбрасывать HDD-диски, чтобы установить SSD. Однако повысить производительность компьютера за счет использования SSD-дисков всё же можно. Оптимальным является решение, когда в настольном ПК применяется комбинация одного SSD-диска и одного или нескольких HDD-дисков. На SSD-диск можно установить операционную систему и все программы (для этого будет достаточно диска объемом 80 Гбайт), а HDD-диск использовать для хранения данных.

Устройство ячейки флэш­памяти

Как мы говорили, главным преимуществом SSD-дисков является их более высокая, в сравнении с HDD-дисками, производительность, однако никаких конкретных характеристик типа скорости последовательного и выборочного чтения и записи не приводилось. Однако, прежде чем переходить к рассмотрению скоростных характеристик SSD-дисков, а также типов SSD-дисков, нужно ознакомиться с особенностями их архитектуры и процесса чтения и записи информации на эти диски. Начнем с краткого описания структуры ячейки флэш­памяти.

На простейшем уровне ячейка флэш­памяти представляет собой n -канальный MOSFET-транзистор с так называемым плавающим затвором. Напомним, что обычный n -канальный MOSFET-транзистор (структура n -p -n ) может находиться в двух состояниях: открытом и запертом (закрытом). Управляя напряжением между стоком и затвором, можно создавать канал проводимости электронов (n -канал) между истоком и стоком (рис. 1). Напряжение, при котором возникает канал проводимости, называется пороговым. Наличие канала проводимости соответствует открытому состоянию транзистора, а отсутствие (когда транзистор не способен проводить ток от истока к стоку) - запертому.

Рис. 1. Устройство MOSFET-транзистора (открытое и закрытое состояние)

В открытом состоянии напряжение между стоком и истоком близко к нулю, а в закрытом может достигать высокого значения. Конечно, сам по себе транзистор не способен сохранять информацию. Собственно, для хранения информации как раз предназначен плавающий затвор (рис. 2). Он выполнен из поликристаллического кремния и полностью окружен слоем диэлектрика, что обеспечивает ему полное отсутствие электрического контакта с элементами транзистора. Плавающий затвор расположен между управляющим затвором и подложкой из p -n -переходов. Такой затвор способен сохранять помещенный на него заряд (отрицательный) в течение неограниченного времени (до 10 лет). Наличие или отсутствие избыточного отрицательного заряда (электронов) на плавающем затворе может трактоваться как логические единица и ноль.

Рис. 2. Устройство транзистора с плавающим затвором и чтение содержимого ячейки памяти

Сначала рассмотрим ситуацию, когда на плавающем затворе нет электронов. В этом случае транзистор ведет себя подобно уже рассмотренному традиционному транзистору. При подаче на управляющий затвор положительного напряжения (инициализация ячейки памяти), равного пороговому значению, в подзатворной области создается канал проводимости - и транзистор переходит в открытое состояние. Если же на плавающем затворе помещен избыточный отрицательный заряд (электроны), то даже при подаче порогового значения напряжения на управляющий затвор он компенсирует создаваемое управляющим затвором электрическое поле и не дает образоваться каналу проводимости, то есть транзистор будет находиться в закрытом состоянии.

Таким образом, наличие или отсутствие заряда на плавающем затворе однозначно определяет состояние транзистора (открыт или закрыт) при подаче одного и того же порогового значения напряжения на управляющий затвор. Если подачу напряжения на управляющий затвор трактовать как инициализацию ячейки памяти, то по напряжению между истоком и стоком можно судить о наличии или отсутствии заряда на плавающем затворе.

То есть в отсутствие управляющего напряжения на затворе, независимо от наличия или отсутствия заряда на плавающем затворе, транзистор будет всегда закрыт, а при подаче порогового значения напряжения на затвор состояние транзистора будет определяться наличием заряда на плавающем затворе: если заряд имеется, то транзистор будет закрыт и выходное напряжение будет высоким; если заряд отсутствует, то транзистор будет открыт и выходное напряжение будет низким.

Закрытое состояние транзистора (отсутствие канала проводимости) принято трактовать как логический ноль, а открытое (наличие канала проводимости) - как логическую единицу. Таким образом, при инициализации ячейки памяти (подаче порогового значения напряжения на затвор) наличие заряда на плавающем затворе трактуется как логический ноль, а его отсутствие - как логическая единица (см. таблицу).

Получается своеобразная элементарная ячейка памяти, способная сохранять один информационный бит. При этом важно, чтобы заряд на плавающем затворе (если он там имеется) мог сохраняться сколь угодно долго как при инициализации ячейки памяти, так и при отсутствии напряжения на управляющем затворе. В этом случае ячейка памяти будет энергонезависимой. Осталось лишь придумать, каким образом на плавающий затвор помещать заряд (записывать содержимое ячейки памяти) и удалять его оттуда (стирать содержимое ячейки памяти).

Помещение заряда на плавающий затвор реализуется либо методом инжекции горячих электронов (CHE-Channel Hot Electrons), либо методом туннелирования Фаулера - Нордхейма (рис. 3). Ну а удаление заряда производится только методом туннелирования Фаулера.

Рис. 3. Процесс записи и стирания информационного бита в транзистор с плавающим затвором

При использовании метода инжекции горячих электронов на сток и управляющий затвор подается высокое напряжение (на управляющий затвор подается напряжение выше порогового значения), чтобы придать электронам в канале энергию, достаточную для преодоления потенциального барьера, создаваемого тонким слоем диэлектрика, и туннелировать в область плавающего затвора (при чтении на управляющий затвор подается меньшее напряжение, и эффекта туннелирования не наблюдается).

Для удаления заряда с плавающего затвора (процесс стирания ячейки памяти) на управляющий затвор подается высокое отрицательное напряжение, а на область истока - положительное. Это приводит к тому, что электроны туннелируют из области плавающего затвора в область истока (квантовое туннелирование Фаулера - Нордхейма (Fowler - Nordheim, FN)).

Рассмотренный нами транзистор с плавающим затвором может выступать в роли элементарной ячейки флэш­памяти. Однако однотранзисторные ячейки имеют ряд существенных недостатков, главный из которых - плохая масштабируемость. Дело в том, что при организации массива памяти каждая ячейка памяти (транзистор) подключается к двум перпендикулярным шинам: управляющие затворы - к шине, называемой линией слов, а стоки - к шине, называемой битовой линией (в дальнейшем данная организация будет рассмотрена на примере NOR-архитектуры). Вследствие наличия в схеме высокого напряжения при записи методом инжекции горячих электронов все линии - слов, битов и истоков - необходимо располагать на достаточно большом расстоянии друг от друга для обеспечения требуемого уровня изоляции, что, естественно, сказывается на ограничении объема флэш­памяти.

Другим недостатком однотранзисторной ячейки памяти является наличие эффекта избыточного удаления заряда с плавающего затвора, который не может компенсироваться процессом записи. В результате на плавающем затворе образуется положительный заряд и транзистор всегда остается в открытом состоянии.

Широкое распространение получили и другие типы ячеек памяти, например ячейка SST (рис. 4), разработанная компанией Silicon Storage Technology, Inc. В транзисторе SST-ячейки изменены формы плавающего и управляющего затворов. Управляющий затвор выровнен своим краем с краем стока, а его изогнутая форма дает возможность разместить плавающий затвор частично под ним и одновременно над областью истока. Такое расположение плавающего затвора позволяет упростить, с одной стороны, процесс помещения на него заряда методом инжекции горячих электронов, а с другой - процесс снятия заряда за счет эффекта туннелирования Фаулера - Нордхейма.

Рис. 4. Структура SST-ячейки памяти

При снятии заряда туннелирование электронов происходит не в область истока, как у рассмотренной однотранзисторной ячейки, а в область управляющего затвора. Для этого на управляющий затвор подается высокое положительное напряжение. Под воздействием электрического поля, создаваемого управляющим затвором, осуществляется туннелирование электронов с плавающего затвора, чему способствует его изогнутая к краям форма.

При помещении заряда на плавающий затвор сток заземляется, а к истоку и управляющему затвору подается положительное напряжение. Управляющий затвор формирует при этом канал проводимости, а напряжение между стоком и истоком «разгоняет» электроны, сообщая им энергию, достаточную для преодоления потенциального барьера, то есть для туннелирования на плавающий затвор.

В отличие от однотранзисторной ячейки памяти, ячейка SST имеет несколько иную схему организации массива памяти.

Многоуровневые и одноуровневые ячейки флэш­памяти

Все рассмотренные до этого типы ячеек памяти способны сохранять только один бит информации в расчете на одну ячейку. Подобные ячейки памяти получили название одноуровневых (Single Level Cell, SLC). Однако существуют и такие ячейки, каждая из которых сохраняет по нескольку битов, - это многоуровневые ячейки, или MLC (Multi Level Cell).

Как уже отмечалось при описании однотранзисторной ячейки памяти, наличие логической единицы или нуля определяется по значению напряжения на битовой линии и зависит от наличия или отсутствия заряда на плавающем затворе. Если на управляющий затвор подается пороговое значение напряжения, то при отсутствии заряда на плавающем затворе транзистор открыт, что соответствует логической единице. Если же на плавающем затворе имеется отрицательный заряд, своим полем экранирующий поле, создаваемое управляющим затвором, то транзистор оказывается в закрытом состоянии, что соответствует логическому нулю. Понятно, что даже при наличии отрицательного заряда на плавающем затворе транзистор можно перевести в открытое состояние, однако для этого придется подать на управляющий затвор напряжение, превышающее пороговое значение. Следовательно, об отсутствии или наличии заряда на плавающем затворе можно судить по пороговому значению напряжения на управляющем затворе. Поскольку пороговое напряжение зависит от величины заряда на плавающем затворе, то можно не только определить два предельных случая - отсутствие или присутствие заряда, - но и по величине порогового напряжения судить о количестве заряда. Таким образом, если имеется возможность размещать на плавающем затворе разное количество уровней заряда, каждому из которых соответствует свое значение порогового напряжения, то в одной ячейке памяти можно сохранять несколько информационных битов. К примеру, для того чтобы с использованием такого транзистора сохранять в одной ячейке 2 бита, необходимо различать четыре пороговых напряжения, то есть иметь возможность размещать на плавающем затворе четыре различных уровня заряда. Тогда каждому из четырех пороговых напряжений можно поставить в соответствие комбинацию двух битов: 00, 01, 10, 11.

Для того чтобы иметь возможность записывать в одну ячейку 4 бита, необходимо различать уже 16 пороговых напряжений.

Ячейки MLC активно разрабатываются компанией Intel, поэтому технология памяти на основе MLC-ячеек получила название Intel StrataFlash.

Отметим, что SLC-ячейки памяти обеспечивают более высокую скорость чтения и записи. Кроме того, они более долговечны, однако SSD-диски на их основе дороже, поскольку при равной емкости SSD-дисков на базе MLC- и SLC-ячеек памяти количество самих ячеек памяти в MLC-диске будет в два раза меньше (в случае четырехуровневых ячеек памяти). Именно поэтому SSD-диски на основе SLC-ячеек памяти используются главным образом в серверах.

Архитектура массивов флэш­памяти

Рассмотренная нами простейшая ячейка флэш­памяти на основе транзистора с плавающим затвором, способная сохранять один бит информации, может использоваться для создания массивов энергонезависимой памяти. Для этого нужно только соответствующим образом объединить в единый массив множество ячеек, то есть создать архитектуру памяти.

Существует несколько типов архитектуры флэш­памяти, то есть способов объединения ячеек памяти в единый массив, но наибольшее распространение получили архитектуры NOR и NAND. Отметим, что в SSD-дисках применяется организация памяти по типу NAND, однако для лучшего понимания особенностей этой архитектуры логично прежде рассмотреть более простую архитектуру NOR. Кроме того, именно архитектура NOR была первой архитектурой, используемой во флэш­памяти.

Архитектура NOR (рис. 5) подразумевает параллельный способ объединения ячеек памяти в массив. Как уже отмечалось, для инициализации ячейки памяти, то есть для получения доступа к содержимому ячейки, необходимо подать пороговое значение напряжения на управляющий затвор. Поэтому все управляющие затворы должны быть подсоединены к линии управления, называемой линией слов (Word Line). Анализ содержимого ячейки памяти производится по уровню сигнала на стоке транзистора. Поэтому стоки транзисторов подключаются к линии, называемой битовой линией (Bit Line).

Рис. 5. Архитектура NOR

Своим названием архитектура NOR обязана логической операции «ИЛИ-НЕ» (английская аббревиатура - NOR). Логическая операция NOR над несколькими операндами дает единичное значение, когда все операнды равны нулю, и нулевое значение во всех остальных случаях. В данном случае имеется в виду принцип соединения транзисторов вообще, а не конкретно транзисторов с плавающим затвором.

Рассмотрим в качестве примера несколько транзисторов (без плавающего затвора), присоединенных к одной битовой линии (рис. 6). В этом случае если хотя бы один транзистор открыт, то выходное напряжение на битовой линии будет низким. И только в случае, когда все транзисторы закрыты, напряжение на битовой линии будет высоким. Получаем таблицу истинности входных напряжений на затворах транзисторов и выходного напряжения на битовой линии, соответствующую таблице истинности логической функции «ИЛИ-НЕ» (NOR). Именно поэтому такая схема объединения транзисторов и получила название NOR.

Рис. 6. Соединение транзисторов по схеме NOR

Архитектура NOR обеспечивает произвольный быстрый доступ к любой ячейке памяти, однако процессы записи (используется метод инжекции горячих электронов) и стирания информации происходят довольно медленно. Кроме того, в силу технологических особенностей производства микросхем флэш­памяти с архитектурой NOR размер ячейки получается большим, поэтому такая память плохо масштабируется.

Другой распространенной архитектурой флэш­памяти является архитектура NAND (рис. 7), соответствующая логической операции «И-НЕ». Операция NAND дает нулевое значение только в том случае, когда все операнды равны нулю, и единичное значение во всех остальных случаях. Архитектура NAND подразумевает последовательный способ подключения транзисторов, при котором сток каждого транзистора связан с истоком соседнего транзистора, а в серии нескольких последовательно соединенных транзисторов только один из них оказывается подключенным к линии битов. Причем при рассмотрении архитектуры соединения речь не идет конкретно о транзисторах с плавающим затвором.

Рис. 7. Архитектура NAND

Рассмотрим группу таких последовательно соединенных транзисторов (без плавающего затвора) (рис. 8). В случае если управляющее напряжение на затворах всех транзисторов равно пороговому значению, то все транзисторы находятся в открытом состоянии и выходное напряжение (напряжение на битовой линии) будет низким, что соответствует логическому нулю. Если же входное напряжение хотя бы на одном транзисторе будет низким (ниже порогового значения), то есть если хотя бы один транзистор будет находиться в запертом состоянии, то напряжение на битовой линии будет высоким, что соответствует логической единице. Получаем таблицу истинности входных напряжений на затворах транзисторов (напряжений на линии слов) и выходного напряжения на битовой линии, соответствующую таблице истинности логической функции «И-НЕ» (NAND). Именно поэтому такая схема объединения транзисторов и получила название NAND.

Рис. 8. Соединение транзисторов по схеме NAND

В схеме соединения NAND-транзисторов с плавающим затвором к группе последовательно соединенных транзисторов с обоих концов подключаются обычные транзисторы (без плавающего затвора), которые изолируют группу транзисторов и от земли, и от битовой линии и подключают всю группу транзисторов к битовой линии при их инициализации.

В сравнении с архитектурой NOR данная архитектура, в силу особенностей технологического процесса производства (объединение стоков и истоков соседних транзисторов и гораздо меньшее количество проводников), позволяет добиться более компактного расположения транзисторов, а следовательно, хорошо масштабируется. В отличие от NOR-архитектуры, где запись информации производится методом инжекции горячих электронов, в архитектуре NAND запись осуществляется методом туннелирования FN, что позволяет реализовать более быструю запись, чем для архитектуры NOR.

Естественно, возникает вопрос: каким образом в архитектуре NAND можно получить доступ к отдельно взятой ячейке памяти (прочитать содержимое ячейки)? Ведь если хотя бы один из транзисторов в такой последовательно соединенной группе будет находиться в закрытом состоянии (что можно трактовать как наличие заряда на плавающем затворе соответствующего транзистора), то напряжение на битовой линии будет высоким независимо от состояния остальных ячеек. Для того чтобы получить доступ к отдельно взятой ячейке, недостаточно просто подать пороговое значение напряжения на затвор транзистора, соответствующего этой ячейке, и измерить напряжение на битовой линии. Еще нужно, чтобы все остальные транзисторы при этом находились в открытом состоянии. Для этого на затвор транзистора, соответствующего ячейке памяти, чье содержимое необходимо прочитать, подается пороговое значение напряжения, а на затворы всех остальных транзисторов - напряжение, превышающее пороговое значение и достаточное для образования канала проводимости даже при наличии заряда на плавающем затворе, но недостаточное для эффекта квантового туннелирования зарядов. В таком случае все эти транзисторы переходят в открытое состояние и напряжение на битовой линии определяется наличием или отсутствием заряда на плавающем затворе транзистора, соответствующего ячейке памяти, к которой реализуется доступ.

Логическая структура NAND флэш­памяти

Как мы уже отмечали, в SSD-дисках используется флэш­память с организацией по типу NAND, поэтому в дальнейшем мы сосредоточимся на рассмотрении исключительно NAND флэш­памяти.

Несмотря на тот факт, что флэш­память позволяет получить доступ для чтения, записи и стирания отдельно взятой ячейки, для более эффективного использования элементарных ячеек памяти они были объединены в массивы с четырехуровневой структурой. На низшем уровне находится элементарная ячейка памяти, а элементарные ячейки, объединенные в массив, вмещающий 4 Кбайт данных, называются страницей памяти. 128 таких страниц образуют блок памяти размером 512 Кбайт (иногда в блок памяти входит 64 страниц), а 1024 блока - массив размером 512 Мбайт. Таким образом, логическая структура объединения ячеек в массивы довольно проста. Страница подобна кластеру (сектору) в жестком диске и представляет собой минимальный размер данных, с которым работает флэш­память. Однако между кластером жесткого диска и страницей флэш­памяти существует принципиальная разница при выполнении операций чтения, записи и удаления. Так, если в жестком диске кластер можно прочитать, записать и удалить, то во флэш­памяти операции чтения и записи возможны страницами по 4 Кбайт, а стирание данных - только блоками по 512 Кбайт. Причем как только информация записана на страницу, она не может быть перезаписана до тех пор, пока не будет очищена (удалена).

Особенности операций записи данных в SSD-дисках

Итак, как мы уже отмечали, запись и чтение данных в NAND флэш­памяти возможны страницами по 4 Кбайт, а стирание данных - только блоками по 512 Кбайт. Вообще, процесс записи информации на SSD-диски сильно отличается от аналогичного процесса с HDD-дисками. С этим, к примеру, связано то, что производительность SSD-дисков меняется со временем, а скорости последовательного и выборочного доступа к флэш­памяти отличаются друг от друга. Для того чтобы объяснить эти явления, рассмотрим более подробно процессы записи на HDD- и SSD-диски.

В случае жестких дисков HDD наименьшая единица информации, которой оперирует система управления жесткого диска, носит название сектора или блока. В HDD размер сектора равен 4 Кбайт (в новых моделях) или 512 байт. Для адресации секторов (блоков) на диске используется метод LBA (Logical Block Addressing), при котором каждый блок, адресуемый на жестком диске, имеет свой порядковый номер - целое число, начиная с нуля (то есть первый блок LBA = 0, второй LBA = 1 и т.д.). Количество LBA-блоков на диске определяется количеством цилиндров, дорожек, секторов и головок чтения/записи. Так, расчет номера LBA-блока производится по формуле:

LBA = [(Cylinder x No_of_heads + Heads) x Sectors/track] + }